矽基氮化镓外延片 -一分快3_安全购彩
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矽基氮化镓外延片

l 矽基氮化镓外延片优点


n   ******控制生長條件實現優異的二維電子氣

n   利用特有的緩沖層生長技術實現高擊穿電壓和極低漏電流

n   原位氮化矽沈積提供了優良的動態性能,提高器件可靠性

n   ******控制生長条件实现的高均匀性和重复性



  l 外延結構



                        Power GaN外延結構                                                   RF GaN外延結構


  l 主要参数


Parameters

AlGaN HEMT

(Power)

AlN HEMT

(RF)

Comments

Substrate

6” Si (111)

Customizable  to 4”

Epi ThickAvg

2-5 um

VBD > 1 kV for power

Epi ThickUnif

< 2.0%

 

Bow

+/- 45 um

 

Cracking

< 5 mm

 

HEMT Barrier

xAl = 0.25-0.35

AlN

Customizable

Barrier Thickness

20-30 nm

4-6 nm

Customizable

In-situ SiN Cap

5-60 nm

~5 nm

Customizable

2-DEG Density

~1013 cm-2

~1.8 x 1013 cm-2


 

Mobility

~2000 cm2/Vs

> 1100 cm2/Vs


 

Rsh

< 330 ohm/sq

< 330 ohm/sq





  l 外延数据


        電力電子用矽基GaN外延垂直方向擊穿電壓大于1000伏,同時具有優異的均勻性和極低的漏電流密度!





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