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氮化镓優勢


                                                                                             

GaN材料優勢:

 

GaN/Si器件優勢:

n  寬禁帶

 

n  高功率密度

n  高擊穿電場

 

n  電流密度

n  高熱導率

 

n  高擊穿電壓

n  高飽和電子遷移率

 

n  高工作頻率

n  耐高溫

 

n  特殊應用環境

n  抗輻射

 

n  成本低,易于産業化

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