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應用領域

l 电力电子器件


 

                  POWER SUPPLY         ELECTRIC AUTOMOBILE    NEW ENERGY INVERTER           MOTOR DRIVE


       氮化镓材料的优异特性,使其可以工作在更高频率下,显著减小电源尺寸,并获得更高的效率,因此其成为替代硅器件的理想选择。主要應用領域包括AC/DCDC/DCDC/AC等多种交直流变换器,覆盖开关电源、电动汽车、新能源逆变器、电机驱动等多种應用領域。


l 射频器件



       氮化镓射频器件替代LDMOS,可實現更高頻率、更高效率的射頻功率放大。相比于碳化矽基氮化镓器件,矽基氮化镓器件具有低成本、易實現大尺寸量産的優勢,主要應用于10 GHz以下射頻通訊、射頻能量領域。



Devices

Frequency

Power

Cost

LDMOS

< 3 GHz

Medium

Low

GaAs HBT

10s GHz

Low

Medium

GaN-on-SiC

100 GHz

High

High

GaN-on-Si

10s GHz

Medium high

Low, as LDMOS

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